آنالیز طیف سنجی رامان یکی از آنالیز های طیف سنجی است که بر اساس تابش الکترومغناطیسی مولکولها صورت می گیرد که به آن پراکندگی(تفرق) رامان می گویند. در ادامه مبانی طیف سنجی راما توضیح داده می شود.همچنین می توانید از خدمات تخصصی آنالیز رامان شرکت تماد کالا استفاده کنید.
طیفسنجی رامان برپایه تابش الکترومغناطیسی توسط مولکولها قرار دارد که به آن پدیده تفرق رامان می گویند. در اثر برخورد تابش الکترومغناطیسی دارای فرکانس منفرد با مواد، نور به صورت کشسان و غیرکشسان توسط مولکولها منتشر خواهد شد. انتشار کشسان به معنای این است که فرکانس نور منتشر شده، برابر فرکانس تابش است. انتشار غیرکشسان به معنای این است که فرکانس نور منتشر شده با فرکانس تابش متفاوت است. انتشار کشسان معمولا در آنالیز FTIR و انتشار غیرکشسان معمولا در آنالیز رامان کاربرد دارد و به آن انتشار رامان میگویند.
[iframe src=’https://www.aparat.com/video/video/embed/videohash/qiy0o/vt/frame’]
همانطور که در شکل دیده می شود، هردو مورد انتشار کشسان و غیرکشسان را می توان بر طبق انتقال انرژی بین فوتون ها و مولکول ها، درک کرد. فوتون های تابش الکترومغناطیسی می توانند ارتعاش مولکولی را به سطح بالاتری تحریک کنند، که در آن υvib=υph است. درصورتیکه ارتعاش تحریک شده، به سطح اولیه خود برگردد (شکل۱- الف)، هیچ نوع انرژی خالصی از فوتون ها به ارتعاش مولکولی منتقل نخواهد شد. به این ترتیب فوتونهای منتشر شده از مولکول ها، نظیر برخوردهای کشسان بین فوتون ها و مولکول ها، همان فرکانس تابش اولیه را خواهند داشت.
درصورتی که ارتعاش تحریک شده مولکولی به سطح اولیه خود برنگردد، انرژی فوتون های منتشر شده، نظیر برخوردهای غیرکشسان بین فوتون ها و مولکول ها، می تواند کمتر یا بیشتر از انرژی فوتون های اولیه باشد. بدیهی است که این تفاوت انرژی نظیر تفاوت انرژی بین سطوح اولیه و نهایی انرژی ارتعاش مولکولی خواهد بود. تغییرات انرژی در فوتون های منتشر شده به صورت تغییر فرکانس آن ها بیان می شود. اگر فرکانس فوتون از υph به υvib-υph کاهش یابد، سطح نهایی انرژی ارتعاش مولکولی بالاتر از انرژی اولیه خواهد بود (شکل۱- ب). به این پدیده تفرق استوکس می گویند. چنانچه فرکانس فوتون از υph به υvib+υph افزایش یابد، سطح نهایی انرژی پایینتر از انرژی اولیه خواهد بود (شکل۱- ج). به این پدیده تفرق ضداستوکس می گویند.
شدت تفرق ضد استوکس به نحو عمده ای از تفرق استوکس کمتر خواهد بود. به این ترتیب، طیف رامان معمولاً تغییرات فرکانس ناشی از تفرق استوکس توسط مولکول ها را ثبت می کند. این تغییر فرکانس (تفاوت بین فرکانس تابش و انتشار) را انتقال رامان در طیف می نامند، که باید درهمان محدوده طیف جذب مادون قرمز باشد. شکل۲ نمونه ای از طیف رامان را نشان می دهد که در آن شدت انتقال رامان نسبت به مجموعه ای از عددهای موج رسم شده است. پیک انفرادی انتقال رامان با فرکانس ارتعاش مولکولی متناظر است. به این ترتیب، طیف های مادون قرمز و رامان روی مقیاس شماره موج رسم شده اند.
شکل۱-تفرق کشسان و غیرکشسان نور اولیه به وسیله مولکول ها. ریلی، تفرق کشسان؛ استوکس و ضد استوکس، تفرق غیرکشسان
شکل۲-طیف رامان چند بلوری گرافیت
در طیف سنجی مادون قرمز (FTIR) میزان کاهش شدت های طیف مادون قرمز تابشی ثبت می شود اما در طیف سنجی رامان (Raman)، میزان انرژی فوتون های بازتاب شده ثبت می شود.
شما می توانید از خدمات تخصصی آنالیز رامان استفاده کنید و یا به بخش مشاوره رایگان مراجعه کنید.
اولین سوالی که به ذهن می رسد این است که گرافن چیست؟ گرافن یکی از ساختار های کربنی است که در قرن اخیر کشف شده است. سوال بعدی کاربرد گرافن و روش سنتز گرافن است؛ ساختار گرافن بدلیل ویژگی هایی که دارد، کاربرد زیادی در صنایع مختلف پیدا کرده است که در مقاله پیش رو […]
گلیسیرین چیست؟ گلیسیرین که با نامهای (1,2,3-Trihydroxypropane، Glycerin ،Glycerol) نیز شناخته می شود، یک الکل قندی تری هیدروکسی است که دارای متابولیسم کربوهیدرات و لیپید است. دارای فرمول مولکولی ( C3H8O3 یا CH2OH-CHOH-CH2OH ) و جرم مولکولی 92.094 g/mol است. همچنین به دلیل داشتن پیوند هیدروژنی ( 3 گروه هیدروکسیل) با هر نسبتی با آب […]
در مقاله کاربرد نانولوله های کربنی به طور مختصر درمورد کاربرد نانو لوله کربنی در صنایع مختلف و کاربرد نانولوله کربنی در پزشکی آشنا شدیم در این مقاله به صورت تکمیلی کاربرد نانولوله های کربنی در صنعت می پردازیم. با کشف و ورود نانولوله های کربنی به صنعت، این نانولوله ها کمک شایانی به صنایع مختلف کردند […]
تکنولوژی کاهش سرعت پرتو (Beam Deceleration Technology) در تصویربرداری SEM با بالاترین قدرت تفکیک از نمونه های زیستی بدون تخریب آنها می باشد. دراین فناوری، یک ولتاژ بایاس منفی روی نمونه اعمال می شودکه باعث کاهش انرژی پرتو فرودی می شود. در نتیجه الکترون های ساطع شده از نمونه اعم از بازگشتی و ثانویه […]